誰能想到，被半導體巨頭英特爾（Intel）視為“眼中釘”的一件美國專利，持有者竟是一家國內的科研機構——中國科學院微電子研究所（IMECAS）。
據(jù)國家知識產(chǎn)權局專利復審委員會消息，7月28日下午審理了201110240931.5(“FinFET專利”)發(fā)明專利的無效申請。無效申請的請求人是Intel(中國)有限公司，而專利權人為中國科學院微電子研究所(下稱“微電子所”)。
2018年，微電子所把英特爾告了
據(jù)悉，這是Intel為應對微電子所2018年發(fā)起的專利侵權訴訟而采取的措施。在此之前，英特爾已經(jīng)先后5次在中美兩地對涉案專利及其美國同族專利發(fā)起無效申請，均以失敗告終。
2018年2月，微電子所將一紙發(fā)明專利侵權訴訟送于北京高院，被告為英特爾、戴爾（中國）有限公司和北京京東世紀信息技術有限公司。微電子所訴稱，英特爾酷睿（Core）系列處理器侵犯了其名為“半導體器件結構及其制作方法、及半導體鰭制作方法”的FinFET專利，要求英特爾停止侵權，賠償至少2億元人民幣，并承擔訴訟費用，同時申請法院下達禁令。
北京市高級人民法院于2018年3月立案，立案同時，英特爾首次向復審委提出FinFET專利無效申請。
2018年4月24日，北京高院開庭審理了一次，審判日期尚未確定。在此期間，英特爾為應對訴訟做了大量工作。當年9月，復審委組織口審。
2019年1月31日，國家知識產(chǎn)權局專利復審委員會針對英特爾的無效請求宣告：維持微電子所涉案專利的全部專利權有效。中科院微電子所官網(wǎng)在其官網(wǎng)“專利及產(chǎn)業(yè)化”欄目中稱，這標志著在世界集成電路最先進的芯片制造領域，我國第一次向國際半導體龍頭企業(yè)發(fā)起的專利維權訴訟取得了重大階段性勝利，表明微電子所在集成電路制造最先進技術領域布局的專利質量，經(jīng)得起堪稱在技術和法律上世界最強的公司的真槍實彈的挑戰(zhàn)。
多次提出無效申請，多次被否決
2018年9月和2019年3月，英特爾曾先后兩次向美國專利商標局提交申請，申請FinFET專利的美國同族專利9070719（719專利）無效。USPTO分別于2019年3月和9月駁回英特爾申請。
英特爾不接受此結果，分別于2019年4月和11月，向USPTO及其POP提交復審請和請愿書，質疑USPTO的審查決定。2020年1月，USPTO駁回英特爾對2019年4月提出的復審請求。6月，美國專利審判和上訴委員會（PTAB）駁回英特爾重審請求。
既然涉案專利組合無論在中國還是美國，英特爾都沒能夠無效掉，說明其穩(wěn)定性確實很高，英特爾在與微電子所的專利訴訟中已沒有多少勝算，一再對同一專利提出無效申請有些拖時間的嫌疑。
對于本次訴訟，英特爾官方對《電子工程專輯》表示：“我們不對正在進行中的訴訟細節(jié)作評論。我們要強調的是，英特爾會為我們的產(chǎn)品和客戶辯護；但該訴訟尚未判決且指控未經(jīng)證實，尚未存在既定的償付責任，我們也未曾因此支付過任何賠償。英特爾是半導體制造和研發(fā)領域的世界領導者，也是第一家基于自己的技術研發(fā)將14納米 FinFET 產(chǎn)品推向市場的公司。英特爾在全球和中國均擁有卓越的FinFET 技術、半導體封裝和半導體制造技術領域的專利組合，這體現(xiàn)了我們的領導地位。英特爾扎根中國35年，擁有超過10000名員工，這讓我們引以為榮，我們將繼續(xù)與中國客戶攜手同行、遠行。我們期待本次爭議得到友好、公平地解決。”
實打實的專利質量
涉案的FinFET專利是一項與FinFET工藝相關的發(fā)明專利，而微電子所在FinFET領域專利實力非常雄厚。國外專利咨詢公司LexInnova在2015年進行的FinFET領域專利調查研究顯示，中科院微電子所專利申請數(shù)量在該領域排名第11位，專利申請質量被評估為全球第一。
誕生于1958年的微電子所， 擁有兩個主要實驗室，九個研發(fā)中心，700多名研究人員。微電子所研究方向主要包括集成電路、高可靠器件與電路、物聯(lián)網(wǎng)等，并圍繞上述領域提交中國專利申請5000多件，且提交了500多件外國專利申請，轉讓專利158件，達成專利許可1505件。除此之外，為了將專利資產(chǎn)轉化為經(jīng)濟效益，該所還設立了專利運營服務機構——中科知識產(chǎn)權管理服務有限公司，其業(yè)務包括了專利許可、轉讓、質押融資、訴訟等。
據(jù)中科院微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心資料顯示，該中心共申請發(fā)明專利1475項（含國外發(fā)明專利申請389項），其中已獲授權932項發(fā)明專利（含國外授權發(fā)明專利333項）。這些專利涵蓋了集成電路制造先進技術代的主要技術領域，例如鰭式場效應晶體管（FinFET）、高k金屬柵（HKMG）、源漏工藝等。
據(jù)公開資料，F(xiàn)inFET 是一種晶體管設計，與普通平面晶體管相比，具有電學性能良好、可擴展性強和兼容性較高等優(yōu)勢，備受業(yè)界的矚目。值得注意的是，韓國高級科學技術研究院也曾就 FinFET 相關技術與 Samsung 引發(fā)專利糾紛，最終 Samsung 敗訴并賠償 4 億美金而告終。由此可見，F(xiàn)inFET 相關技術具有較高的商業(yè)價值。
同時，微電子所也不缺乏與國際性大企業(yè)進行“專利戰(zhàn)”的經(jīng)驗。2017年5月，中科院就曾在深圳和廣州對美國LED制造商CREE及其國內子公司發(fā)起專利侵權訴訟，每起案件賠償經(jīng)濟損失100萬元。
文源：綜合OFweek、電子工程
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