面對日趨復(fù)雜的競爭環(huán)境以及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級需求，產(chǎn)業(yè)如何走上一條創(chuàng)新發(fā)展的道路?專利導(dǎo)航正是不可或缺的“指南針”。
從2013年開始探索試點(diǎn)，到2020年《專利導(dǎo)航指南》系列國家標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布，專利導(dǎo)航作為專利信息利用和分析的工具，在支撐技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的作用日益凸顯。
那么針對產(chǎn)業(yè)規(guī)劃類的專利導(dǎo)航具體可以做什么呢?又可以具體在哪些場景下使用呢?
別急，下面通過案例給大家展示產(chǎn)業(yè)規(guī)劃類導(dǎo)航的第一個應(yīng)用場景——指引產(chǎn)業(yè)研發(fā)方向(節(jié)選自《廣東省半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)專利導(dǎo)航分析報(bào)告》)。
01從全球產(chǎn)業(yè)鏈上中下游看產(chǎn)業(yè)的研發(fā)熱點(diǎn)
對比各個產(chǎn)業(yè)鏈條的專利布局情況及增速、發(fā)明專利活躍度 、發(fā)明工程師數(shù)量及增速、創(chuàng)新企業(yè) 數(shù)量及增速，可以看到在全球范圍內(nèi)，集成電路設(shè)計(jì)、單項(xiàng)制造工藝、封測領(lǐng)域的發(fā)明申請公開量總體呈快速增長態(tài)勢，并且技術(shù)創(chuàng)新的活躍度較高，上述領(lǐng)域成為產(chǎn)業(yè)鏈中研發(fā)的熱點(diǎn)領(lǐng)域。
02從關(guān)鍵核心技術(shù)看產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展方向
以存儲器領(lǐng)域?yàn)槔?，分析其兩大核心技術(shù)分支DRAM和Flash的技術(shù)演進(jìn)、細(xì)分對應(yīng)的市場規(guī)模和相應(yīng)的核心專利，可以看出在存儲器領(lǐng)域，DRAM正在由DDR3轉(zhuǎn)進(jìn)DDR4.NAND Flash全面進(jìn)入3D NAND Flash時代，NOR Flash技術(shù)與AMOLED屏幕和智能音箱技術(shù)具有融合趨勢。
03從龍頭企業(yè)看產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新方向
以英特爾為例，從其合作研發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、人才流動、糾紛情況和各分支技術(shù)上重點(diǎn)專利的分析，可以看出，作為領(lǐng)域內(nèi)的龍頭企業(yè)，英特爾公司積極與世界一流高校、國際知名半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司和制造公司開展技術(shù)合作，也與競爭對手出現(xiàn)過多起知識產(chǎn)權(quán)訴訟。而圍繞產(chǎn)業(yè)鏈上下游，英特爾在芯片設(shè)計(jì)、制造以及封裝方面，均有專利布局，且著重在CPU控制、存儲器設(shè)計(jì)、光刻和互連工藝、FinFET結(jié)構(gòu)、MCP封裝結(jié)構(gòu)等多個分支技術(shù)上開展研發(fā)。
以上的案例可以看出，通過產(chǎn)業(yè)類專利導(dǎo)航，將專利信息與技術(shù)、市場、創(chuàng)新主體等信息充分融合，分析出產(chǎn)業(yè)的研發(fā)熱點(diǎn)、關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展動向以及產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新方向，從而揭示產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基本方向、重要技術(shù)演進(jìn)方向、龍頭企業(yè)技術(shù)動向等情況，從而有利于政府合理引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)研發(fā)方向，避免重復(fù)研發(fā)，或?qū)β浜蠓较蛲度胙邪l(fā)而導(dǎo)致的資源浪費(fèi)。
針對其他應(yīng)用場景的專利導(dǎo)航，我們會在后續(xù)陸續(xù)介紹，敬請關(guān)注。
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