據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó)3D NAND領(lǐng)軍企業(yè)閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的11項(xiàng)專利，涉及3D NAND Flash和DRAM產(chǎn)品。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)請(qǐng)求法院命令美光停止在美國(guó)銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱，美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND Flash，以及美光的一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM 系列)，侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的11項(xiàng)專利或專利申請(qǐng)。據(jù)@lithos_graphein收集的專利申請(qǐng)列表表明，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的一般方面。
這是繼今年6月后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)又一次對(duì)美光出手。2023年11月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就曾在美國(guó)起訴美光專利侵權(quán)，涉8項(xiàng)專利;2024年6月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。
美國(guó)商務(wù)部于2022年底將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入黑名單，這大大增加了該公司從美國(guó)公司獲得先進(jìn)晶圓廠設(shè)備，以制造其市場(chǎng)領(lǐng)先的3D NAND設(shè)備的難度。去年，因?yàn)槊绹?guó)商務(wù)部禁止銷售可用于制造具有超過(guò)128個(gè)活動(dòng)層的3D NAND的晶圓廠工具和技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展的難度再度加大。
有趣的是，總部位于美國(guó)的 Patriot Memory正在準(zhǔn)備一款高端PCIeGen5x4SSD，其讀取速度高達(dá)14GB/s。而該公司的技術(shù)正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND內(nèi)存。
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