1.引言
隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。
2.原理
聚焦離子束(Focused Ion beam, FIB)的系統(tǒng)是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器，目前商用系統(tǒng)的離子束為液相金屬離子源(Liquid metal Ion Source,LMIS)，金屬材質為鎵(Gallium, Ga)，因為鎵元素具有低熔點、低蒸氣壓、及良好的抗氧化力;典型的離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5-6軸向移動的試片基座、真空系統(tǒng)、抗振動和磁場的裝置、電子控制面板、和計算機等硬設備，外加電場于液相金屬離子源，可使液態(tài)鎵形成細小尖端，再加上負電場(Extractor) 牽引尖端的鎵，而導出鎵離子束，在一般工作電壓下，尖端電流密度約為1埃10-8 Amp/cm2，以電透鏡聚焦，經(jīng)過一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA)可決定離子束的大小，再經(jīng)過二次聚焦至試片表面，利用物理碰撞來達到切割之目的。
3.應用
聚焦離子束系統(tǒng)除了具有電子成像功能外，由于離子具有較大的質量，經(jīng)過加速聚焦后還可對材料和器件進行蝕刻、沉積、離子注入等加工。
3.1 離子束成像
聚焦離子束轟擊樣品表面，激發(fā)二次電子、中性原子、二次離子和光子等，收集這些信號，經(jīng)處理顯示樣品的表面形貌。目前聚焦離子束系統(tǒng)成像分辨率已達到5nm，比掃描電鏡稍低，但成像具有更真實反映材料表層詳細形貌的優(yōu)點。
3.2 離子束蝕刻
高能聚焦離子束轟擊樣品時，其動能會傳遞給樣品中的原子分子，產(chǎn)生濺射效應，從而達到不斷蝕刻，即切割樣品的效果。其切割定位精度能達到5nm級別，具有超高的切割精度。
使用高能了離子束將不活潑的鹵化物氣體分子變?yōu)榛钚栽?、離子和自由基，這些活性基團與樣品材料發(fā)生化學反應后的產(chǎn)物是揮發(fā)性，當脫離樣品表面時立刻被真空系統(tǒng)抽走。這些腐蝕氣體本身不與樣品材料發(fā)生作用，由由離子束將其離解后，才具有活性，這樣便可以對樣品表面實施選擇性蝕刻。在集成電路修改方面有著重要應用。
3.3 離子束沉積薄膜
利用離子束的能量激發(fā)化學反應來沉積金屬材料和非金屬材料。通過氣體注入系統(tǒng)將一些金屬有機物氣體噴涂在樣品上需要沉積的區(qū)域，當離子束聚焦在該區(qū)域時，離子束能量使有機物發(fā)生分解，分解后的金屬固體成分被沉積下來，而揮發(fā)性有機物成分被真空系統(tǒng)抽走。
3.4 離子注入
聚焦離子束的一個重要應用時可以無掩模注入離子。掩模注入是半導體領域的一項基本操作技術，利用聚焦離子束技術的精確定位和控制能力，就可以不用掩模板，直接在半導體材料和器件上特定的點或者區(qū)域進行離子注入，精確控制注入的深度和廣度。
3.5 透射電鏡樣品制備
透射電鏡的樣品限制條件是透射電鏡應用的一大難題，通常透射電鏡的樣品厚度需控制在0.1微米以下。傳統(tǒng)方法是通過手工研磨和離子濺射減薄來制樣，不但費時而且還無法精確定位。聚焦離子束在制作透射電鏡樣品時，不但能精確定位，還能做到不污染和損傷樣品。
4.聚焦離子束的發(fā)展
聚焦離子束現(xiàn)已發(fā)展成與SEM等設備聯(lián)用。FIB-SEM雙系統(tǒng)可以在高分辨率掃描電鏡顯微圖像監(jiān)控下發(fā)揮聚焦離子束的超微細加工能力。
在FIB-SEM雙束系統(tǒng)中，聚焦離子束和電子束優(yōu)勢互補。離子束成型襯度大，但存在損傷樣品和分辨率低的缺點，電子束激發(fā)的二次電子成像分辨率高、對樣品損傷小，但襯度較低，兩者組合可獲得更清晰準確的樣品表面信息。
5.小結
本文簡單介紹了聚焦離子束(FIB)的基本原理、結構和應用。它的精確定位、顯微觀察和精細加工能力在電子領域有著重要應用。目前5nm的加工精度、無污染和不損傷樣品在樣品加工方面存在這巨大優(yōu)勢，是其他樣品制備設備無法達到的水平。
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