技術標引項分析中的“找人”還包括對真正的產出相關技術的自然人及其團隊的發(fā)掘和分析，鎖定具有所需技術特點的發(fā)明人及發(fā)明人團隊，深入地分析和了解具體發(fā)明人及其團隊的技術成果特點，同時，也可以在這個過程中，分析發(fā)明團隊中各個發(fā)明人之間的配合關系和傳承關系等，推測并借鑒優(yōu)秀發(fā)明團隊的搭建思路。
01、技術制造者的研究方向分析
案例1：英特爾在計算機指令系統(tǒng)領域的主要發(fā)明人分析
英特爾在計算機指令系統(tǒng)領域發(fā)明人排序
圖表來源：楊鐵軍. 產業(yè)專利分析報告(第40冊)高端通用芯片[M].北京：知識產權出版社，2016.
在英特爾在計算機指令系統(tǒng)領域，按發(fā)明人提交的發(fā)明數(shù)量進行排序，可以看出其中瓦爾排名第一，且其提交的45件專利申請，均是作為第一發(fā)明人，由此可見這位發(fā)明人在研發(fā)團隊中的超然地位，主導著研發(fā)團隊的創(chuàng)新力，尤其是其并未作為非第一發(fā)明人提交過專利申請，因而可以推測出該發(fā)明人很可能并非是在英特爾逐步成長起來的，而是外部聘請的技術專家，才能在一開始就以第一發(fā)明人的身份進行專利申請。反觀排名第二的托爾和排名第三的凡倫天，二者作為非第一發(fā)明人分別提交了12件和20件專利申請，可以看出這兩位發(fā)明人并非一開始就作為其研發(fā)團隊的主導，而是逐步成長起來的。
英特爾在計算機指令系統(tǒng)領域第一發(fā)明人瓦爾在各技術分支的申請分布
圖表來源：楊鐵軍. 產業(yè)專利分析報告(第40冊)高端通用芯片[M].北京：知識產權出版社，2016.
對英特爾排名第一的瓦爾提交的45件發(fā)明專利設計的領域進行分析，設計5個一級技術分支和18個二級技術分支，覆蓋了報告研究對象71.4%的一級技術分支和40.9%的二級技術分支，可見其在計算機指令系統(tǒng)中涉獵甚廣，對英特爾計算機指令系統(tǒng)創(chuàng)新的影響度較高。
02、技術制造者的合作研發(fā)
案例2：三星3D NAND領域研發(fā)人員的合作關系
三星3D NAND領域研發(fā)人員的合作關系
圖表來源：張茂于. 產業(yè)專利分析報告(第50冊)芯片先進制造工藝[M].北京：知識產權出版社，2017.
三星3D NAND領域研
圖表來源：張茂于. 產業(yè)專利分析報告(第50冊)芯片先進制造工藝[M].北京：知識產權出版社，2017.
對三星的發(fā)明人進行統(tǒng)計，可以獲知有3個主要的研發(fā)團隊，分別是金汗洙團隊(第一團隊)，黃棋鉉團隊(第二團隊)，樸泳雨團隊(第三團隊)。從合作程度上看，三個團隊之間兩兩合作，合作申請所占比例在16%-18%，其合作度約為1/6.從技術上看，對于堆疊方式，第一團隊涉獵簡單堆疊、垂直溝道和垂直柵型三種堆疊方式，第二團隊涉獵垂直溝道，第三團隊涉獵垂直溝道和垂直柵型;對于產品結構和工藝，第一團隊和第三團隊的研發(fā)重點在層間互聯(lián)結構以及光刻蝕刻和整體，第二團隊的研發(fā)重點在溝道以及深溝沉積。對照三星最終量產的V-NAND技術可知，主要由第三團隊完成了已上市的V-NAND快閃存儲器中使用的VG垂直柵結構的研發(fā)，但三星研究過多種方案，特別是在技術先進性較高的垂直溝道堆疊結構研發(fā)方面，三大團隊均有參與，投入了較強的力量。
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