南山區(qū)促進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項資金——促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項支持計劃
一、政策內(nèi)容
（一） 高層次專業(yè)人才引進支持。
對集成電路設(shè)計企業(yè)上一年度從市外引進集成電路專業(yè)人才，按照簽訂三年以上（含三年）勞動合同人才的數(shù)量及質(zhì)量，分檔次給予資助，每家企業(yè)每年最高資助100萬元。
（二）創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊項目支持。
引進和培育具有先進理念和管理水平、掌握核心技術(shù)的集成電路設(shè)計領(lǐng)域創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊。對入選深圳市高層次人才團隊的項目,市、區(qū)疊加給予最高1.2億元資助；對入選廣東省引進創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊的項目，省、市、區(qū)疊加給予最高2.2億元資助。
（三）核心設(shè)備購買支持。
對集成電路設(shè)計企業(yè)購買核心設(shè)備（實際交易價格20萬元以上），按照購置額20%給予補貼，每家企業(yè)每年最高補貼100萬元。
（四）關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)支持。
支持轄區(qū)集成電路設(shè)計企業(yè)針對重點發(fā)展的高端領(lǐng)域和關(guān)鍵環(huán)節(jié)，開展具有重大創(chuàng)新性和突破性的技術(shù)研發(fā)活動。對經(jīng)區(qū)科技主管部門備案，且獲得市科技行政主管部門技術(shù)攻關(guān)專項（集成電路產(chǎn)業(yè)重點項目）資助的牽頭單位，按照不超過獲得市級資助金額的60%給予資助，每個項目最高資助600萬元。
（五） EDA/IP購買支持。
支持集成電路企業(yè)購買IP(來源于IP提供商、EDA供應(yīng)商或者代工廠IP模塊)、EDA工具開展芯片研發(fā)，對上一年度購買南山區(qū)外企業(yè)的IP、EDA設(shè)計工具的企業(yè)，按照支付費用的30%給予補貼，每家企業(yè)每年最高補貼100萬元，對上一年度購買南山區(qū)內(nèi)企業(yè)的IP、EDA設(shè)計工具的企業(yè)，按照支付費用的60%給予補貼，每家企業(yè)每年最高補貼200萬元。
（六） EDA研發(fā)支持。
對從事EDA工具軟件研發(fā)的企業(yè)，按照EDA研發(fā)費用的20%給予一次性最高1000萬元補貼。
（七） 流片服務(wù)支持。
對集成電路企業(yè)首次工程流片進行支持，按照上一年度首次工程流片費用(含掩模版制作、流片等)的10%給予補貼，大于28nm(含)的工藝節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼150萬元， 7nm（不含）到28nm（不含）節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼300萬元,小于7nm（含）節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼1000萬元；對使用多項目晶圓（MPW）流片進行研發(fā)的企業(yè)，按照上一年度MPW流片費用的10%給予補貼，大于28nm(含)的工藝節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼100萬元，7nm(不含)到28nm（不含）節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼200萬元，小于7nm(含)以下節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼500萬元。
（八） 公共服務(wù)平臺建設(shè)支持。
對圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化共性服務(wù)需求，提供設(shè)計服務(wù)、測試驗證等公共服務(wù)的創(chuàng)新平臺，經(jīng)區(qū)科技主管部門評審通過后，每年最高資助2000萬元，連續(xù)資助時間不超過3年。
（九）工程樣片測試驗證支持。
對開展工程樣片的功能、性能、可靠性、兼容性、失效分析等方面的測試驗證及相關(guān)認證的集成電路設(shè)計企業(yè)，按照實際發(fā)生費用的30%給予每年最高100萬元資助。
（十） 芯片首購首用支持。
支持本轄區(qū)整機和集成電路設(shè)計企業(yè)聯(lián)動發(fā)展。對南山區(qū)整機企業(yè)首購首用本轄區(qū)集成電路設(shè)計企業(yè)自主開發(fā)的芯片，按照上一年度采購金額20%給予獎勵，每家企業(yè)每年最高獎勵50萬元。
（十一）貸款貼息支持。
對在南山科技金融在線平臺完成評級及備案，并獲得流動資金貸款且按時還款的轄區(qū)內(nèi)集成電路企業(yè)，在平臺貸款貼息額度內(nèi)，按照企業(yè)實際支付利息的70%給予補貼。每家企業(yè)每年最高資助100萬元。
（十二）創(chuàng)業(yè)融資支持。
1.對成立5年以內(nèi)，獲得投資機構(gòu)投資的轄區(qū)內(nèi)種子期、初創(chuàng)期集成電路設(shè)計企業(yè)，按照其上年度獲得實際投資額最高10%給予資助，每家企業(yè)每年最高資助300萬元。
2.對成立5年以內(nèi)，近3年累計獲得投資機構(gòu)1億元以上投資額的轄區(qū)內(nèi)高成長集成電路企業(yè)，給予一次性100萬元資助。
獲得本條第一項、第二項政策支持的企業(yè)當年可在南山科技金融在線平臺申請貸款貼息額度20%的提升。
同一家企業(yè)同一年度均符合本條第一項、第二項政策，按照從高不重復原則予以支持。
（十三）高端項目并購支持。
鼓勵轄區(qū)企業(yè)并購國內(nèi)外集成電路領(lǐng)域高端項目，對并購規(guī)模2億元以上高端項目的企業(yè)，每個項目根據(jù)并購金額5‰給予最高1000萬元獎勵。
（十四）特別重大項目支持。
對符合南山區(qū)戰(zhàn)略布局,具有科技創(chuàng)新支撐作用的重大集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項目,報區(qū)政府采用“一事一議”方式予以審定支持。
二、政策內(nèi)容解釋說明
本政策第二、四、八、十一、十二、十四條參照《南山區(qū)促進科技創(chuàng)新專項扶持措施》對應(yīng)的政策操作規(guī)程執(zhí)行。第一、三、五、六、七、九、十條，參照本操作規(guī)程執(zhí)行，第十三條另行規(guī)定。
本政策所指MPW流片、工程產(chǎn)品、首次流片的解釋如下：
MPW流片：指將多個具有相同工藝的集成電路設(shè)計放在同一晶圓上流片，按面積分擔流片費用，以降低開發(fā)成本和新產(chǎn)品開發(fā)風險。
工程產(chǎn)品：指經(jīng)過掩膜板流片，達到設(shè)計要求后，可以提供給集成電路系統(tǒng)整機廠商進行芯片性能測試及示范應(yīng)用的芯片產(chǎn)品。
首次流片：指集成電路設(shè)計企業(yè)對其研發(fā)的新型號芯片與芯片制造企業(yè)、代流片企業(yè)或全資子公司開展產(chǎn)品量產(chǎn)前流片，并就對應(yīng)型號芯片首次簽訂流片合同。
三、設(shè)定依據(jù)
（一）《南山區(qū)促進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項資金管理辦法》
（二）《南山區(qū)促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項扶持措施》
四、申報條件
（一）基本條件
1.申請單位為注冊地在南山區(qū)的且具有獨立法人資格的企業(yè)；
2.申請單位在南山區(qū)有20位本科以上或10位碩士研究生以上的團隊（在南山區(qū)簽訂勞動合同、連續(xù)近一年繳納社保）；
（二）專項條件
1.高層次專業(yè)人才引進支持
（1）申請單位應(yīng)為集成電路設(shè)計企業(yè)；
（2）申請單位根據(jù)自身發(fā)展需求，2021年1月-12月從市外引進的且申報本政策時仍在公司就職的集成電路專業(yè)人才：
申請單位每引進1名2022年度個人納稅20萬元及以上的市外集成電路專業(yè)人才，計5分；每引進1名2022年度個人納稅10萬元（含）到20萬元之間的市外集成電路專業(yè)人才，計3分；每引進1名2022年度個人納稅2.5萬元（含）到10萬之間的市外集成電路專業(yè)人才，計1分。
申請單位累積分數(shù)在100分及以上，給予一次性100萬元獎勵；申報單位累積分數(shù)在75分（含）到100分之間，給予一次性50萬元獎勵；申報單位累積分數(shù)在50分（含）到75分之間，給予一次性20萬元獎勵。
2.核心設(shè)備購買支持
（1）申請單位應(yīng)為集成電路設(shè)計企業(yè)；
（2）申請單位上一年度購買硬件仿真器、集成電路自動測試機（ATE）、協(xié)議分析儀、邏輯分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀等核心設(shè)備并用于芯片研發(fā)。
3.EDA/IP購買支持
（1）申請單位應(yīng)為集成電路設(shè)計企業(yè)；
（2）申請單位可以同時申請EDA及IP購買支持；
（3）申請單位應(yīng)為EDA/IP授權(quán)協(xié)議中的知識產(chǎn)權(quán)最終被授予方，且不再轉(zhuǎn)售予第三方；
（4）采購方與被采購方應(yīng)為非關(guān)聯(lián)關(guān)系，且已簽訂轉(zhuǎn)讓或授權(quán)合同，完成合同付款。
4.EDA研發(fā)支持
（1）申請單位應(yīng)為EDA設(shè)計工具研發(fā)企業(yè)；
（2）研究開發(fā)活動應(yīng)符合研發(fā)費用加計扣除政策范疇。
5.流片服務(wù)支持
（1）申請單位應(yīng)為集成電路設(shè)計企業(yè)；
（2）申請單位上一年度進行首次工程流片或使用多項目晶圓（MPW）流片進行研發(fā)；
（3）對首次工程流片，1家企業(yè)僅支持1個項目；
（4）申請單位選擇首次工程流片和多項目晶圓（MPW）流片其中一項進行申報。
6.工程樣片測試驗證支持
（1）申請單位應(yīng)為集成電路設(shè)計企業(yè)；
（2）申請單位上一年度進行工程樣片測試驗證開展研發(fā)。
7.芯片首購首用支持
（1）申請單位為注冊地在南山區(qū)的系統(tǒng)集成、終端應(yīng)用等企業(yè)，且上一年度購買本轄區(qū)集成電路設(shè)計企業(yè)自主開發(fā)的芯片；
（2）被采購企業(yè)為注冊地在南山區(qū)的集成電路設(shè)計企業(yè)，且售出的芯片需自主研發(fā)設(shè)計或生產(chǎn)，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，芯片對應(yīng)的集成電路布圖設(shè)計創(chuàng)作完成時間在2019年1月1日后；
（3）采購方與被采購方應(yīng)為非關(guān)聯(lián)關(guān)系，且已簽訂銷售合同，上一年度執(zhí)行全部或者部分合同款項。
五、資助方式
本資助計劃屬核準類，實行單位申報、材料審核、社會公示、政府決策的原則，采取無償資助方式和事后補貼制，受資助項目無需驗收。
六、申報時間和辦理時限
2023年5月12日9：00-2023年5月25日18:00。
每年安排1-2次集中受理單位申請，具體受理時間以發(fā)布的申報通知為準。
資助計劃下達1個月內(nèi)受資助單位須辦理資金撥付手續(xù)，逾期不辦理者視為自動放棄。
七、附則
本計劃責任部門為南山區(qū)科技創(chuàng)新局，本操作規(guī)程由其負責解釋，自發(fā)布之日起施行。
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