實用新型專利創(chuàng)造性判斷中對相近、相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的確定
——(2022)最高法知行終41號
裁判要旨
確定實用新型專利的技術(shù)領(lǐng)域時，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案為對象，以主題名稱為起點，綜合考慮專利技術(shù)方案的功能、用途。與專利技術(shù)方案的功能、用途相近的技術(shù)領(lǐng)域，構(gòu)成專利技術(shù)領(lǐng)域的相近技術(shù)領(lǐng)域;專利技術(shù)方案與最接近現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)域，構(gòu)成專利技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。
關(guān)鍵詞
行政 實用新型專利權(quán)無效 創(chuàng)造性 相近技術(shù)領(lǐng)域 相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域
基本案情
陳某建系專利號為201620169331.2、名稱為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實用新型專利的專利權(quán)人。2020年7月15日，深圳市恒某公司針對本專利權(quán)提出無效宣告請求，對此國家知識產(chǎn)權(quán)局于2021年1月4日作出第47707號無效宣告請求審查決定，宣告本專利權(quán)有效。深圳市恒某公司不服，向一審法院提起訴訟，請求撤銷被訴決定，判令國家知識產(chǎn)權(quán)局重新作出決定。
一審法院于2021年9月22日作出行政判決：駁回深圳市恒某公司的訴訟請求。深圳市恒某公司提出上訴，最高人民法院于2022年12月29日作出(2022)最高法知行終41號行政判決：一、撤銷一審法院行政判決;二、撤銷國家知識產(chǎn)權(quán)局第47707號無效宣告請求審查決定;三、國家知識產(chǎn)權(quán)局就深圳市恒某公司針對專利號為201620169331.2、名稱為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實用新型專利提出的無效宣告請求重新作出審查決定。
裁判意見
法院生效裁判認(rèn)為，技術(shù)領(lǐng)域的確定，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的內(nèi)容為準(zhǔn)，一般根據(jù)專利的主題名稱，結(jié)合技術(shù)方案所實現(xiàn)的技術(shù)功能、用途加以確定。相近的技術(shù)領(lǐng)域一般指與實用新型專利產(chǎn)品功能以及具體用途相近的領(lǐng)域，相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域一般指實用新型專利與最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的功能領(lǐng)域。
本專利權(quán)利要求1要求保護(hù)的是一種鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中單層金屬的鋁柵CMOS工藝設(shè)計的產(chǎn)品集成度低的問題。為了解決上述問題，本專利權(quán)利要求1采取的技術(shù)手段主要是：將現(xiàn)有的單層鋁柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)的壓焊點(輸入和輸出PAD、電源和地端PAD)作為第二層金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一金屬層金屬結(jié)構(gòu)上，也就是設(shè)置到鋁柵CMOS結(jié)構(gòu)之上，提高鋁柵CMOS集成度。為了評價本專利權(quán)利要求1版圖結(jié)構(gòu)的創(chuàng)造性，一審判決及被訴決定基于硅柵和鋁柵的柵極材料不同，均認(rèn)為硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)而認(rèn)定二者的技術(shù)方案實質(zhì)上并不相同，本專利權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性。本專利權(quán)利要求1與證據(jù)1、2、3、5、6、7的區(qū)別技術(shù)特征在于，證據(jù)1、2、3、5、6、7公開的均是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，并沒有公開任何涉及“鋁柵”的內(nèi)容。在半導(dǎo)體工業(yè)的早期，金屬鋁一般被用作CMOS的柵極材料，此后硅被廣泛運(yùn)用于柵極材料。盡管柵極材料從鋁到硅的發(fā)展確實是半導(dǎo)體器件的改進(jìn)，但鋁柵與硅柵的區(qū)別對于本專利所采取的雙層金屬布線版圖結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案沒有實質(zhì)性影響，柵極材料的選擇不應(yīng)作為本專利的技術(shù)貢獻(xiàn)。因此，本專利與硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)功能相同、用途相近，提高CMOS集成度的原理基本相同，可以將硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)視為本專利的相同或相近技術(shù)領(lǐng)域。被訴決定和一審判決在評價本專利的創(chuàng)造性時，未考慮硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)，屬于適用法律錯誤。
關(guān)聯(lián)索引
《中華人民共和國專利法》第22條第3款(本案適用的是2009年10月1日施行的《中華人民共和國專利法》第22條第3款)
附：判決書
中華人民共和國最高人民法院
行政判決書
(2022)最高法知行終41號
上訴人(一審原告、無效宣告請求人)：深圳市某電子有限公司。
法定代表人：瞿某，該公司總經(jīng)理。
委托訴訟代理人：王啟勝，廣東鵬杰律師事務(wù)所律師。
被上訴人(一審被告)：國家知識產(chǎn)權(quán)局。
法定代表人：申長雨，該局局長。
委托訴訟代理人：羅崇舉，該局審查員。
委托訴訟代理人：袁麗穎，該局審查員。
一審第三人(專利權(quán)人)：陳某某，男，1975年10月24日出生，漢族，住河北省新樂市。
上訴人深圳市某電子有限公司與被上訴人國家知識產(chǎn)權(quán)局及一審第三人陳某某實用新型專利權(quán)無效行政糾紛一案，涉及專利權(quán)人為陳某某、名稱為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實用新型專利(以下簡稱本專利)。針對深圳市某電子有限公司就本專利提出的無效宣告請求，國家知識產(chǎn)權(quán)局作出第47707號無效宣告請求審查決定(以下簡稱被訴決定)，宣告本專利權(quán)有效;深圳市某電子有限公司不服，向北京知識產(chǎn)權(quán)法院提起訴訟。北京知識產(chǎn)權(quán)法院于2021年9月22日作出(2021)京73行初7955號行政判決，判決駁回深圳市某電子有限公司的訴訟請求;深圳市某電子有限公司不服，向本院提起上訴。本院于2022年1月18日立案后，依法組成合議庭，并于2022年4月22日詢問當(dāng)事人，上訴人深圳市某電子有限公司的委托訴訟代理人王啟勝，被上訴人國家知識產(chǎn)權(quán)局的委托訴訟代理人羅崇舉、袁麗穎，一審第三人陳某某到庭參加詢問。本案現(xiàn)已審理終結(jié)。
本案基本事實如下：本專利系名稱為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實用新型專利，專利權(quán)人為陳某某，專利號為201620169331.2.專利申請日為2016年3月7日，授權(quán)公告日為2016年11月30日。作為本案審查基礎(chǔ)的權(quán)利要求為：
“1.鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述版圖結(jié)構(gòu)包括：第一金屬層、層疊在第一金屬層上的第二金屬層以及設(shè)置在第一金屬層和第二金屬層之間的絕緣介質(zhì)隔離層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層設(shè)置為CMOS電路連接層，所述第二金屬層設(shè)置為壓焊點層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層設(shè)置為CMOS電路連接層，所述第二金屬層設(shè)置為壓焊點和MOS電路進(jìn)行連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述壓焊點為輸入和輸出PAD、電源和地端PAD。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)隔離層的材質(zhì)為氮化硅和二氧化硅復(fù)合介質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)隔離層是所述第一金屬層與第二金屬層之間的絕緣介質(zhì)層，所述第一金屬層與第二金屬層通過光刻刻蝕絕緣介質(zhì)隔離層制作的通孔進(jìn)行電路連接。”
2020年7月15日，深圳市某電子有限公司請求國家知識產(chǎn)權(quán)局宣告本專利權(quán)利要求全部無效。主要理由包括：本專利權(quán)利要求1不具備《中華人民共和國專利法》(以下簡稱專利法)第二十二條第二款規(guī)定的新穎性，權(quán)利要求1-6不具備專利法第二十二條第三款規(guī)定的創(chuàng)造性。
深圳市某電子有限公司提交了如下證據(jù)：
證據(jù)1：中國專利文獻(xiàn)CN103390647A，公開日為2013年11月13日。證據(jù)1公開了一種功率CMOS器件結(jié)構(gòu)，具體公開了以下內(nèi)容(參見說明書第0022-0034段，附圖1-4)：包括多個LDMOS基板單元和多個焊接墊，所述多個LDMOS基板單元并聯(lián)，并與所述多個焊接墊通過金屬電連接，以引出所述多個LDMOS基板單元的柵端、源端、漏端及襯底，所述多個焊接墊正下方設(shè)有LDMOS基本單元;所述多個焊接墊與所述多個LDMOS基本單元之間設(shè)有第一金屬層，所述多個LDMOS基本單元、所述第一金屬層與所述多個焊接墊之間通過金屬栓電連接;所述多個焊接墊包括厚度為3.5-4.5微米、線寬為1.5-2.5微米的單層金屬，所述多個焊接墊還包括位于單層金屬之下的阻擋層及位于單層金屬之上的抗反射層。
證據(jù)2：雙層金屬布線硅柵CMOS門陣列電路制造工藝技術(shù)研究，鄭養(yǎng)鉥，張敏，凌棟忠，吳璘，顧惠芬，鄭慶云，邱斌，半導(dǎo)體學(xué)報，第14卷，第1期，第36-42頁，公開日為1993年1月31日。證據(jù)2公開了一種雙層金屬布線硅柵CMOS門陣列電路，具體公開了以下內(nèi)容(參見第36-37、39頁，附圖1)：提高集成電路的集成密度的主要途徑包括采用多層金屬布線，普通的單層布線，互連線所占的面積占芯片總面積的70%，而采用雙層金屬布線時，互連線只占芯片總面積的50%，即集成密度提高了一倍，且在雙層金屬布線工藝中，采用濺射方式形成第一層布線金屬材料，采用濺射方式形成第二布線金屬材料，在兩層金屬布線間形成絕緣層;采用連通孔作為二層金屬布線間的連接通道，連通的標(biāo)志是二層金屬布線金屬接觸的導(dǎo)通電阻盡可能小。
證據(jù)3：中國專利文獻(xiàn)CN103003940A的部分文本，公開日為2013年3月27日。證據(jù)3(參見說明書第0635-0642段，附圖70)公開了一種具有半導(dǎo)體裝置和結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，公開的是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，并具體公開了：以HKMG“后柵極”的方式采用先進(jìn)的加工體硅施主晶圓7000;薄薄的單晶施主晶圓表面7018可用于借助氧化層7020的低溫氧化或沉淀進(jìn)行層切;進(jìn)行低溫層切，以便將變薄的、在第一步驟的晶體管成形預(yù)加工的HKMG硅層7001轉(zhuǎn)移到受主晶圓808上，包括金屬插接條7024.成為在切出層上形成的電路與下方電路-層808之間連接線的接合焊盤;對層間電介質(zhì)7008進(jìn)行化學(xué)-機(jī)械打磨，以便露出多晶硅虛擬柵極的頂層;將多晶硅虛擬柵極移除，高-k柵極電介質(zhì)7026和PMOS特定功函數(shù)金屬柵極7028可發(fā)生沉積;PMOS功函數(shù)金屬柵極可從NMOS晶體管上移除，NMOS特定功函數(shù)金屬柵極7030可發(fā)生沉積;在NMOS和PMOS柵極上填充鋁7032.并對金屬進(jìn)行化學(xué)-機(jī)械打磨操作;電介質(zhì)層7032可能會發(fā)生淀積。
證據(jù)4：中國專利文獻(xiàn)CN102832712A，公開日為2012年12月19日。
證據(jù)5：中國專利文獻(xiàn)CN1229523A，公開日為1999年9月22日。(該證據(jù)與請求書所附證據(jù)1相同，以下統(tǒng)稱證據(jù)5)證據(jù)5公開了一種具有多層布線的半導(dǎo)體器件的制造方法，具體公開了以下內(nèi)容(參見說明書第4頁第8-18行，附圖1)：第一絕緣層3形成在硅晶片的半導(dǎo)體本體2的表面1上，露出形成在半導(dǎo)體本體2內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)的接觸窗口提供在所述絕緣層3內(nèi)，顯示為導(dǎo)電條7和8的第一布線層6形成在第一絕緣層3上，導(dǎo)電條7連接到半導(dǎo)體區(qū)5.第二絕緣層9形成在第一布線層6上，提供有接觸窗口;顯示為導(dǎo)電條12的第二布線層11形成在第二絕緣層9上;導(dǎo)電條12連接到導(dǎo)電條7;其上提供有第三布線層14的第三絕緣層13形成在第二布線層11上;第三布線層14通過接觸窗口16連接到第一布線層6的導(dǎo)電條8.
證據(jù)6：中國專利文獻(xiàn)CN101110402A，公開日為2008年1月23日。證據(jù)6公開了一種半導(dǎo)體芯片，具體公開了以下內(nèi)容(參見說明書第5頁第2段)：在實施例中，如果半導(dǎo)體器件是CMOS圖像器件的一部分，則半導(dǎo)體器件可以包括光電二極管和/或MOS晶體管;在至少一個半導(dǎo)體器件上方可以形成多晶硅——金屬電介質(zhì)PMD層間介電層;可以依次堆疊至少一層金屬布線層和至少一層層間介電層。證據(jù)6還公開了(參見說明書第1頁第1段)：半導(dǎo)體襯底上可以形成多個半導(dǎo)體電路器件，例如MOS晶體管，并且可以形成多個金屬布線層以提供對于這些電路器件的電連接;可以形成多個層間介電層，以將單元電路器件與金屬布線層相互隔離;各單元電路器件與金屬布線層可以通過穿通層間介電層的多個接觸塞而相互電連接。
證據(jù)7：芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實用教程(第六版)，PeterVanZant著，韓鄭生譯，電子工業(yè)出版社，2015年1月第3版(原著第6版)，第242-243頁。公開日為2015年1月31日。證據(jù)7公開了一種多層金屬設(shè)計，具體公開了以下內(nèi)容(參見第242-243頁)：增加芯片密度能夠在晶圓表面放置更多的元件，這實際上就減少了表面連線的可用空間;這個兩難的問題的解決方法就是利用有2至4層獨(dú)立金屬層的多層金屬結(jié)構(gòu);圖13.3顯示了一個典型的兩層金屬堆疊結(jié)構(gòu);這種堆疊結(jié)構(gòu)的底部是在硅表面形成的硅化物阻擋層，這有利于降低硅表面和上層之間的阻抗;如果鋁作為導(dǎo)電材料的話，阻擋層也能夠阻止鋁和硅形成合金;接下來是一層介質(zhì)材料層，可稱之為金屬間介質(zhì)層，它在兩個金屬層之間提供電絕緣作用;這種介質(zhì)材料可能是淀積的氧化物、氮化硅或聚酰亞胺膜;這一層需要進(jìn)行光刻以形成新的連接孔，這些連接孔稱為通孔或塞;緊接著，這一層的金屬層被淀積并進(jìn)行圖形化工藝;在以后的工藝中，重復(fù)IMD/塞/金屬淀積或圖形化工藝，就形成了多層金屬系統(tǒng)。
證據(jù)8：中國專利文獻(xiàn)CN105633009A，公開日為2016年6月1日。
證據(jù)9：中國專利文獻(xiàn)CN101174310A，公開日為2008年5月7日。
證據(jù)10：中國專利文獻(xiàn)CN1915797A，公開日為2007年2月21日。
2021年1月4日，國家知識產(chǎn)權(quán)局作出被訴決定認(rèn)為：本專利具備專利法第二十二條第二款、第三款規(guī)定的新穎性、創(chuàng)造性。國家知識產(chǎn)權(quán)局據(jù)此決定：維持本專利有效。
深圳市某電子有限公司不服，于2021年5月12日向一審法院提起訴訟，請求：撤銷被訴決定，責(zé)令國家知識產(chǎn)權(quán)局重新作出決定。事實和理由為：(一)國家知識產(chǎn)權(quán)局關(guān)于鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路不屬于同一技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定錯誤。二者國際分類號相同。本專利的同日申請發(fā)明專利駁回決定(專利號201610125636.8)，國家知識產(chǎn)權(quán)局在該發(fā)明申請駁回決定中引用的對比文件1-3都是硅柵CMOS集成電路，足以證明鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域。本專利的實用新型專利權(quán)評價報告顯示本專利權(quán)利要求1無新穎性，權(quán)利要求2-6無創(chuàng)造性，且國家知識產(chǎn)權(quán)局引用的對比文件1也是硅柵CMOS集成電路。被訴決定違反了《專利審查指南》的規(guī)定。(二)若鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域不被認(rèn)可，那鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路至少構(gòu)成相近或者相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，由于現(xiàn)有技術(shù)給出了明確的啟示，本專利缺乏新穎性和創(chuàng)造性。(三)被訴決定合議組人員違反回避規(guī)定，程序違法。
國家知識產(chǎn)權(quán)局辯稱：被訴決定認(rèn)定事實清楚，適用法律正確，審理程序合法，審查結(jié)論正確，請求駁回深圳市某電子有限公司的訴訟請求。
陳某某述稱：國際分類號并不能用來證明技術(shù)方向和技術(shù)領(lǐng)域是否相同，與本案不存在任何關(guān)系。硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，制造工藝不同，結(jié)構(gòu)也不相同，不能進(jìn)行替換。其他意見與國家知識產(chǎn)權(quán)局一致。
一審訴訟過程中，深圳市某電子有限公司提交了其他專利材料，以及與本專利同日申請的發(fā)明專利駁回決定、本專利的專利權(quán)評價報告等證據(jù)，以證明鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域。
一審訴訟過程中，國家知識產(chǎn)權(quán)局提交了以下證據(jù)：
證據(jù)12：國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士學(xué)位論文“鋁柵工藝特征尺寸小型化的研究與應(yīng)用”，劉偉，2006年3月1日，封面、表目錄頁、圖目錄頁、摘要頁、獨(dú)創(chuàng)性聲明頁，正文第1-2、4-8、32-33、65頁。
證據(jù)13：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文“1.0微米先進(jìn)鋁柵工藝開發(fā)”，趙少峰，2007年5月15日，封面、獨(dú)創(chuàng)性聲明頁，正文第47、49頁。
證據(jù)14:東南大學(xué)學(xué)位論文“0.8微米低壓鋁柵關(guān)鍵工藝技術(shù)研究與設(shè)計規(guī)則優(yōu)化”，解洋，2015年l0月13日，封面頁、獨(dú)創(chuàng)性聲明頁、摘要頁，正文第1、4、32、41、61-62頁。
一審法院經(jīng)審理認(rèn)定了上述事實。另查明：庭審過程中，深圳市某電子有限公司明確表示：對于被訴決定之“一、案由”“二、決定的理由”之“1、審查基礎(chǔ)”“2、證據(jù)認(rèn)定”部分不持異議，對證據(jù)內(nèi)容的認(rèn)定不持異議;如果權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性，則權(quán)利要求2-6也具備創(chuàng)造性;放棄關(guān)于程序違法的訴訟主張。
一審法院認(rèn)為：(一)關(guān)于本專利權(quán)利要求1.權(quán)利要求1要求保護(hù)的主題是一種鋁柵CMOS的雙層金屬布線結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，雖然在技術(shù)發(fā)展的過程中，先出現(xiàn)的是鋁柵集成電路，硅柵集成電路是在鋁柵集成電路的基礎(chǔ)上改進(jìn)發(fā)展而來，但由于硅柵和鋁柵的特性(例如熔點等)的不同，硅柵集成電路和鋁柵集成電路采用不同的版圖結(jié)構(gòu)和工藝制程，二者在各自不同的領(lǐng)域向前發(fā)展，其制造工藝、設(shè)計規(guī)則、特征尺寸等均不相同，且二者各有優(yōu)劣，主要應(yīng)用的領(lǐng)域不相同，發(fā)展的速度也不同。即，硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，二者的設(shè)計、結(jié)構(gòu)等不能直接通用或替換。證據(jù)3中公開的是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，其屬于硅柵CMOS集成電路領(lǐng)域，其中并沒有公開任何涉及“鋁柵”的技術(shù)內(nèi)容。故權(quán)利要求1相對于證據(jù)3具備新穎性。證據(jù)1、2、3、5、6、7公開的均是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，均屬于硅柵CMOS集成電路領(lǐng)域，其中均沒有公開任何涉及“鋁柵”的技術(shù)內(nèi)容。前述證據(jù)均沒有公開權(quán)利要求1中限定的由第一、第二金屬層及設(shè)置于其間的絕緣介質(zhì)隔離層構(gòu)成的鋁柵CMOS的雙層金屬布線結(jié)構(gòu)，上述技術(shù)特征構(gòu)成權(quán)利要求1相對于上述證據(jù)的區(qū)別特征。然而，沒有證據(jù)顯示上述區(qū)別特征屬于本領(lǐng)域的公知常識。而且，該區(qū)別特征使得權(quán)利要求1的技術(shù)方案具有提高鋁柵CMOS集成電路的集成度的技術(shù)效果。因此，權(quán)利要求1相對于證據(jù)1和公知常識的結(jié)合，或者證據(jù)2和公知常識的結(jié)合，或者證據(jù)3和公知常識的結(jié)合，或者證據(jù)5和公知常識的結(jié)合，或者證據(jù)6和公知常識的結(jié)合，或者證據(jù)7和公知常識的結(jié)合具有實質(zhì)性特點和進(jìn)步，因而具備創(chuàng)造性。
(二)關(guān)于本專利權(quán)利要求2-6.權(quán)利要求2-6是權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求，深圳市某電子有限公司關(guān)于權(quán)利要求2-6不具備創(chuàng)造性的理由是基于權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性;此外，深圳市某電子有限公司在評述權(quán)利要求2-6的附加技術(shù)特征時還引入了證據(jù)8、證據(jù)9和證據(jù)10.但是，證據(jù)8的公開日晚于本專利的申請日，不構(gòu)成本專利的現(xiàn)有技術(shù)，不可以用于評價本專利的創(chuàng)造性。證據(jù)9和證據(jù)10未用于評述權(quán)利要求1的創(chuàng)造性。因此，在關(guān)于獨(dú)立權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性的理由均不成立的情況下，關(guān)于從屬權(quán)利要求2-6不具備創(chuàng)造性的理由也都不成立。
一審法院依據(jù)《中華人民共和國行政訴訟法》第六十九條之規(guī)定，判決：駁回深圳市某電子有限公司的訴訟請求。案件受理費(fèi)100元，由深圳市某電子有限公司負(fù)擔(dān)(已交納)。
深圳市某電子有限公司不服一審判決，向本院提起上訴，請求：1.撤銷一審判決;2.撤銷被訴決定，并判令國家知識產(chǎn)權(quán)局重新作出無效審查決定;3.判令國家知識產(chǎn)權(quán)局承擔(dān)一、二審訴訟費(fèi)。事實和理由為：(一)一審法院關(guān)于本專利屬于鋁柵CMOS集成電路技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定錯誤。本專利公開的是鋁柵CMOS集成電路，一審法院將技術(shù)領(lǐng)域認(rèn)定為涉案專利本身，違反了《專利審查指南》的規(guī)定。(二)一審法院關(guān)于本專利與深圳市某電子有限公司在無效宣告程序中提交的對比文件屬于不同技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定錯誤。本專利記載的技術(shù)效果并不是因為選擇鋁作為柵極材料產(chǎn)生的，選擇鋁或硅作為柵極材料對本專利的技術(shù)效果沒有任何影響。(三)從國際分類號的角度看，證據(jù)1-6與本專利的國際分類號相同，足以證明硅柵CMOS集成電路與鋁柵CMOS集成電路都屬于CMOS集成電路技術(shù)領(lǐng)域。(四)若鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域不被認(rèn)可，那么二者至少構(gòu)成相近或者相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域。
國家知識產(chǎn)權(quán)局辯稱：堅持被訴決定意見，一審判決認(rèn)定事實清楚，適用法律正確，審理程序合法，請求駁回深圳市某電子有限公司的上訴請求。
陳某某述稱：(一)本專利是在傳統(tǒng)鋁柵CMOS基礎(chǔ)上發(fā)明創(chuàng)造而來，雙層金屬布線版圖結(jié)構(gòu)直接應(yīng)用在鋁柵CMOS集成電路上，一審法院和國家知識產(chǎn)權(quán)局關(guān)于本專利屬于鋁柵CMOS集成電路技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定正確。(二)鋁柵CMOS集成電路屬于獨(dú)立的技術(shù)領(lǐng)域，深圳市某電子有限公司提供的對比文件都不是鋁柵CMOS，一審法院關(guān)于本專利與對比文件屬于不同技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定正確。(三)國際分類號不能用來證明技術(shù)方向和技術(shù)領(lǐng)域是否相同，與本案不存在任何關(guān)系。(四)鋁柵CMOS和硅柵CMOS的版圖結(jié)構(gòu)、工藝制程、特征尺寸、設(shè)計規(guī)則、應(yīng)用領(lǐng)域、熔點等完全不同，不能進(jìn)行替換，兩者不是相近或者相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，并沒有給出明確現(xiàn)有技術(shù)啟示。請求駁回深圳市某電子有限公司的上訴請求。
本案二審期間，當(dāng)事人均未提交新證據(jù)，并均對一審判決關(guān)于涉案證據(jù)真實性、合法性和關(guān)聯(lián)性的認(rèn)定不持異議。
本院經(jīng)審理查明：一審法院認(rèn)定的事實基本屬實，本院予以確認(rèn)。
本院認(rèn)為：本專利申請日在2008年修正的專利法施行日(2009年10月1日)之后、2020年修正的專利法施行日(2021年6月1日)之前，本案應(yīng)適用2008年修正的專利法。本案二審爭議焦點問題是：鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路是否屬于相同或相近的技術(shù)領(lǐng)域。
《專利審查指南》第二部分第二章2.2.2規(guī)定：發(fā)明或者實用新型的技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)當(dāng)是要求保護(hù)的發(fā)明或者實用新型技術(shù)方案所屬或者直接應(yīng)用的具體技術(shù)領(lǐng)域，而不是上位的或者相鄰的技術(shù)領(lǐng)域，也不是發(fā)明或者實用新型本身。技術(shù)領(lǐng)域的確定，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的內(nèi)容為準(zhǔn)，一般根據(jù)專利的主題名稱，結(jié)合技術(shù)方案所實現(xiàn)的技術(shù)功能、用途加以確定。相近的技術(shù)領(lǐng)域一般指與實用新型專利產(chǎn)品功能以及具體用途相近的領(lǐng)域，相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域一般指實用新型專利與最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的功能領(lǐng)域。
本專利權(quán)利要求1要求保護(hù)的是一種鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中單層金屬的鋁柵CMOS工藝設(shè)計的產(chǎn)品集成度低的問題。為了解決上述問題，本專利權(quán)利要求1采取的技術(shù)手段主要是：將現(xiàn)有的單層鋁柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)的壓焊點(輸入和輸出PAD、電源和地端PAD)作為第二層金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一金屬層金屬結(jié)構(gòu)上，也就是設(shè)置到鋁柵CMOS結(jié)構(gòu)之上，提高鋁柵CMOS集成度。為了評價本專利權(quán)利要求1版圖結(jié)構(gòu)的創(chuàng)造性，一審判決及被訴決定基于硅柵和鋁柵的柵極材料不同，均認(rèn)為硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)而認(rèn)定二者的技術(shù)方案實質(zhì)上并不相同，本專利權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性。
本專利權(quán)利要求1與證據(jù)1、2、3、5、6、7的區(qū)別技術(shù)特征在于，證據(jù)1、2、3、5、6、7公開的均是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，并沒有公開任何涉及“鋁柵”的內(nèi)容。在半導(dǎo)體工業(yè)的早期，金屬鋁一般被用作CMOS的柵極材料，此后硅被廣泛運(yùn)用于柵極材料。盡管柵極材料從鋁到硅的發(fā)展確實是半導(dǎo)體器件的改進(jìn)，但鋁柵與硅柵的區(qū)別對于本專利所采取的雙層金屬布線版圖結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案沒有實質(zhì)性影響，柵極材料的選擇不應(yīng)作為本專利的技術(shù)貢獻(xiàn)。因此，本專利與硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)功能相同、用途相近，提高CMOS集成度的原理基本相同，可以將硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)視為本專利的相同或相近技術(shù)領(lǐng)域。被訴決定和一審判決在評價本專利的創(chuàng)造性時，未考慮硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)，屬于適用法律錯誤。
綜上所述，深圳市某電子有限公司的上訴請求成立，應(yīng)予支持。被訴決定和一審判決適用法律錯誤，應(yīng)予糾正。根據(jù)《中華人民共和國行政訴訟法》第七十條、第八十九條第一款第二項、第三款之規(guī)定，判決如下：
一、撤銷北京知識產(chǎn)權(quán)法院(2021)京73行初7955號行政判決;
二、撤銷國家知識產(chǎn)權(quán)局第47707號無效宣告請求審查決定;
三、國家知識產(chǎn)權(quán)局就深圳市某電子有限公司針對專利號為201620169331.2、名稱為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實用新型專利提出的無效宣告請求重新作出審查決定。
一審案件受理費(fèi)100元，由國家知識產(chǎn)權(quán)局負(fù)擔(dān)。二審案件受理費(fèi)100元，由國家知識產(chǎn)權(quán)局負(fù)擔(dān)。
本判決為終審判決。
審 判 長 魏磊
審 判 員 周平
審 判 員 李艷
二〇二二年十二月二十九日
法官助理 靳毅
技術(shù)調(diào)查官 于行洲
書記員 王怡
(原標(biāo)題：實用新型專利創(chuàng)造性判斷中對相近、相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的確定)
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